< 현재 인텔과 마이크론이 생산중인 3D 크로스포인트 반도체 웨이퍼 >
인텔과 마이크론이 낸드 플래시 메모리보다 1천배 빠른 새로운 메모리인
3D 크로스포인트를 공개하고 올 연말부터 양산에 나선다고 합니다.
25년만에 낸드 플래시 보다 1천 배 빠른 새 유형의 메모리 칩을 개발 생산하기로 한 것인데요.
그동안 낸드 플래시 메모리는 데이터를 읽고 쓰는 속도 개선, 좁은 공간에 더 많은 용량을 담는데 성공 하는 등
기술적인 발전은 있었지만 여전히 수명이라는 문제가 숙제로 남았었는데요.
(MLC 방식 플래시 메모리는 최대 1만번, TLC 방식 플래시 메모리는 최대 1천번 기록 가능)
3D 크로스포인트는 이러한 근본적인 문제를 해결하기 위해 저장된 내용이 지워지지 않는 비휘발성, 고성능, 고내구성과 고용량을 목표로
인텔과 마이크론이 개발한 새로운 반도체라고 합니다.
플래시 메모리에 꼭 필요했던 트랜지스터를 없애고, 트랜지스터가 들어가던 공간에 보다 많은 메모리쉘을 넣을 수 있어
기존 메모리보다 10배 이상 기록이 가능합니다. 속도도 기존 플래시 메모리보다 수백배 이상 빠르다고 합니다.
셀 안의 모든 데이터를 지우고 다시 쓸 필요 없이 필요한 부분만 지우고 쓸 수 있기 때문에
기록 횟수도 자연스럽게 늘게 되었고, 내구성은 현재 나온 플래시 메모리의 1천배 이상이라는 것이 인텔의 설명입니다.
현재 3D 크로스포인트는 인텔과 마이크론이 공동투자한 IMFT (인텔 마이크론 플래시 테크놀로지) 를 통해
메모리 셀을 2층으로 쌓아 칩 하나당 128Gb(16GB)를 저장할 수 있는 시제품 생산에 성공하여 올 연말부터 샘플을 공급할 예정이며, 이를 활용한 제품도 개발중이라고 합니다.
이미지 및 기사요약 출처 : http://www.cnet.co.kr/view/100141043